AO3480C描述：
•门电荷低
•RoHS和无卤素兼容
•沟槽功率MOSFET技术30V
•低RDS(上)
AO3480C产品技术参数:
在vg RDS(上)(= 4.5 v)<26 mΩ
ID (at VGS=4.5V) 6.2A
RDS(上)(vg = 10 v)<20 mΩ
AO3480C防静电保护
A. RqJA的值是用2oz的装置安装在1in2 FR-4板上测量的。铜，在TA =25℃的静空气环境中。的价值在任何给定的应用取决于用户的具体板设计。
万代AO3480C AO3481C 场效应管 MOS管